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NP88N03KUG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
4
3.5
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
3
2.5
2
10000
C iss
1.5
1
0.5
0
-100
-50
0
50
V GS = 10 V
I D = 44 A
Pulsed
100 150 200
1000
100
V GS = 0 V
f = 1 MHz
0.1
1
10
C o ss
C rss
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
25
V DD = 24 V
10
100
10
V DD = 15 V
V GS = 10 V
R G = 0 ?
t d(off)
t d(on)
t f
t r
20
15
10
5
15 V
V DD = 6 V
I D = 82 A
V DS
V GS
8
6
4
2
1
0.1
1
10
100
0
I D = 88 A
0
0
40
80
120
160
200
1000
100
10
I D - Drain Current – A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V GS = 10 V
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
1
0.1
0V
di/dt = 100 A/ μ s
0.01
Pulsed
10
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D16854EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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